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IPB60R380C6是MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R180C6ATMA1 IPB60R280C6XT SP000660634，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为340mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为32nC。
IPB60R299CPATMA1是MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于CoolMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于XPB60R299以及IPB60R199CPXT SP000301161部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-263-3，该设备提供1信道数信道。
带有电路图的IPB60R330P6ATMA1，包括TO-263-3包装箱，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB60R430P6 SP001364470，提供Si等技术特性。
