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SPD04N60C3是MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000313944 SPD04N6OC3BTMA1 SPD04N63C3XT，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为50W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9.5 ns，上升时间为2.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为950mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58.5ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
SPD04N60S5是MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如55 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有CoolMOS S5系列，上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为950 mOhms，Pd功耗为50 W，零件别名为SP000313946 SPD04N60S5BTM1 SPD04N6OS5XT，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4.5 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPD04N60C3ATMA1带有电路图，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了零件别名，用于SP001117764 SPD04N6OC3，提供Si等技术功能，商品名设计用于CoolMOS。
SPD04N60C3G，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。SPD04N60C3G采用SOT-252封装，是IC芯片的一部分。
