起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
Fairchild Semiconductor的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，为广泛的应用提供一流的运行性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、DC-DC转换器、等离子显示面板（PDP）、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻（RDS（on））降低导通状态损耗，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）降低开关损耗。通过使用先进的QFET®工艺技术，Fairchild可以提供优于竞争对手的平面MOSFET器件的改进的品质因数（FOM）。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQA020ADC-N07-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,461.25508 |
 | FQA020ADC-007-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,022.76991 |
 | FQA020ADC-N07-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,005.02966 |
 | FQA020ADC-007-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,435.76492 |
 | FQA70N10 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 214W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.38056 |
 | FQAF11N90C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.4598 |
 | FQA62N25C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.13487 |
 | FQA11N90C-F109 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.63146 |
 | FQA90N15 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.48301 |
 | FQA8N90C-F109 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 |