这个英飞凌科技 光学MOS™ P沟道功率MOSFET设计用于提供满足质量性能的增强功能。其特点包括超低开关损耗、导通电阻、雪崩额定值以及AEC认证的汽车解决方案。应用包括直流-直流、电机控制、汽车和电动汽车。
增强模式
雪崩等级
低开关和传导功率损耗
无铅铅镀层；符合RoHS
标准包装
光学MOS™ P通道系列：温度范围从-55°C到+175°C
IPB80P03P4L04ATMA1
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 137W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥14.06760
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.07
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 场效应管类型 P-通道
- 供应商设备包装 PG-TO263-3-2
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 160 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 4.1毫欧姆 @ 80A, 10V
- 最大功耗 137W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11300 pF@25 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@253A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) +5伏、-16伏
- 样式 -
IPB80P03P4L04ATMA1 产品详情
英飞凌OptiMOS™P P沟道功率MOSFET
IPB80P03P4L04ATMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IPBD-08-D | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 插座 接触头种类: Female Socket 针位数: sixteen 排数: two 间距: 0.165英寸（4.20毫米） 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥17.2381 |
 | IPBS-104-02-T-S | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 标头 接触头种类: Female Socket 针位数: four 配接间距: 0.165英寸（4.20毫米） 连接头表面处理: 锡 安装类别: 表面安装 | ¥21.87356 |
| IPBS-102-01-T-S-GP | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 标头 接触头种类: Female Socket 针位数: two 配接间距: 0.165英寸（4.20毫米） 连接头表面处理: 锡 安装类别: 通孔 | ¥18.03482 |
 | IPBS-105-01-T-S-GP | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 标头 接触头种类: Female Socket 针位数: five 配接间距: 0.165英寸（4.20毫米） 连接头表面处理: 锡 安装类别: 通孔 | ¥26.2193 |
| IPBS-108-01-T-S | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 标头 接触头种类: Female Socket 针位数: 8 配接间距: 0.165英寸（4.20毫米） 连接头表面处理: 锡 安装类别: 通孔 | ¥31.57904 |
| IPBS-103-02-T-D-GP | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 标头 接触头种类: Female Socket 针位数: 6 配接间距: 0.165英寸（4.20毫米） 连接头表面处理: 锡 安装类别: 表面安装 | ¥28.31974 |
| IPBS-105-02-T-D-GP | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 标头 接触头种类: Female Socket 针位数: ten 配接间距: 0.165英寸（4.20毫米） 连接头表面处理: 锡 安装类别: 表面安装 | ¥38.02523 |
 | IPBS-104-02-T-D | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 标头 接触头种类: Female Socket 针位数: 8 配接间距: 0.165英寸（4.20毫米） 连接头表面处理: 锡 安装类别: 表面安装 | ¥29.26132 |
| IPBS-106-01-T-D-GP | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 标头 接触头种类: Female Socket 针位数: twelve 配接间距: 0.165英寸（4.20毫米） 连接头表面处理: 锡 安装类别: 通孔 | ¥39.18409 |
 | IPB019N08N3GATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥52.72831 |
IPB80P03P4L04ATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IPB80P03P4L04ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IPB80P03P4L04ATMA1价格参考￥14.067595，你可以下载 IPB80P03P4L04ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IPB80P03P4L04ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
