AO4407AL采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）和25V栅极额定值的超低栅极电荷。该装置适用于负载开关或PWM应用。
AO4407AL
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥24.95903
-
数量:
- +
- 总计: ¥24.96
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 场效应管类型 P-通道
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 39 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 3.1W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@12A，20V
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2600 pF@15 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 20V
AO4407AL 产品详情
AO4407AL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AO4407C | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆 | ¥1.54346 | |
 | AO4882-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882 | ¥1.73742 |
 | AO4616(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.14847 |
| AO4435-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A | ¥1.1367 |
| AO4410-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A | ¥0.98694 |
 | AO4606 | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：1个N沟道和1个P沟道 | ¥1.6422 |
| AO4435 | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.46162 |
| AO4407-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A | ¥1.17054 |
| AO4411(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.86192 |
| AO4419(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.69013 |
AO4407AL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4407AL 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4407AL价格参考￥24.959033，你可以下载 AO4407AL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4407AL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
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