9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVTJD4158CT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVTJD4158CT1G参考价格为0.856美元。onsemi NVTJD4158CT1G封装/规格：MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88。您可以下载NVTJD4158CT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NVTJD4158CT1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NVTJD4001NT1G是MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88，其中包括NTJD4001N系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件在SC-88/SC70-6/SOT-363供应商器件包中提供，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，最大功率为272mW，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为33pF@5V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为250mA，Rds最大Id Vgs为1.5欧姆@10mA，4V，Vgs最大Id为1.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为1.3nC@5V，Id连续漏极电流为250mA，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道。
NVTJD4001NT2G是MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88，包括1.5V@100μA Vgs和最大Id，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供供应商设备包功能，如SC-88/SC70-6/SOT-363，系列设计为在NTJD4001N中工作，以及1.5 Ohm@10mA，4V Rds和最大Id Vgs，该器件也可以用作1.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，最大功率为272mW，该器件采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该器件具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为33pF@5V，Id连续漏电流为250mA，栅极电荷Qg Vgs为1.3nC@5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为250mA。
带有电路图的NVTFS5826NLWFTAG，包括20 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表注释中显示了用于WDFN-8的封装盒，该WDFN-8提供了卷盘、漏极电阻Rds等封装功能，设计为在24 mOhms下工作，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型，该器件具有60 V的Vds漏极-源极击穿电压。
NVTFS5826NLWFTWG，带有EDA/CAD型号，包括WDFN-8封装盒，它们设计为使用硅技术操作。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供了NVTFS5826GL等系列功能，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及60 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件也可以用作24毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Id连续漏极电流为20 A，该器件提供1 N沟道晶体管类型，该器件具有1个沟道数的沟道。
