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AO4443L

Name: AO4443L
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7167564-AO4443L
Price: 10.502205 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 3.1W（Ta）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
交期:5-7 工作日

渠道:

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库存: 9000
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规格参数

技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 40伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
最大功耗 3.1W（Ta）
漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A (Ta)
部件状态过时的
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14.2 nC@10 V
导通电阻 Rds(ON) 42毫欧姆 @ 6A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 657 pF @ 20 V
样式 -

AO4443L 产品详情

特色

一般说明
AO4443采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）和超低的栅极电荷。该设备适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4443不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。AO4443L是绿色产品订购选项。AO4443和AO4443L在电气上相同。

VDS（V）=-40伏
ID=-6.5 A（VGS=-10V）
RDS（开启）<42mΩ （VGS=-10V）
RDS（开启）<63mΩ （VGS=-4.5V）

AO4443L 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4443L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4443L 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4443L价格参考￥10.502205，你可以下载 AO4443L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4443L规格参数、现货库存、封装信息等信息！