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AO4447AL

Name: AO4447AL
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7167571-AO4447AL
Price: 75.818677 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）最大功耗: 3.1W（Ta）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
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库存: 9000
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- +
总计: ¥75.82

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规格参数

技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
场效应管类型 P-通道
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
最大功耗 3.1W（Ta）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.6V@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 17A（Ta）
部件状态过时的
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 105 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5500 pF @ 15 V
导通电阻 Rds(ON) 7毫欧姆 @ 17A, 10V
色彩/颜色 Yellow

AO4447AL 产品详情

特色

一般说明
AO4447AL采用先进的沟槽技术，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该设备非常适合负载开关和电池保护应用。

-符合RoHS
-无卤素


VDS（V）=-30伏
ID=-17A（VGS=-10V）
RDS（开启）<7mΩ （VGS=-10V）
RDS（开启）<8mΩ （VGS=-4.5V）
RDS（开启）<9mΩ （VGS=-4V）
ESD保护！

AO4447AL 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4447AL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4447AL 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4447AL价格参考￥75.818677，你可以下载 AO4447AL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4447AL规格参数、现货库存、封装信息等信息！