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BSO040N03MS G是MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO,包括OptiMOS 3M系列,它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSO040NO3MSGXT BSO040NO 3MSGXUMA1 SP000446070的零件别名,该产品提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于OptiMOS,以及DSO-8封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件采用单四漏三源配置,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为1.56 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为9 ns,上升时间为9纳秒,并且Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为20A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-漏极电阻为4.9mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为24ns,典型接通延迟时间为18ns,沟道模式为增强。
BSO033N03MSGXUMA1和用户指南,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计用于N沟道三极管极性,产品名称显示在数据表注释中,用于OptiMOS,提供Si等技术特性,系列设计用于BSO033NO3,以及BSO033NO 3MSGXT G SP000446072零件别名,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为SOIC-8,该器件提供1信道数信道。
BSO040N03MS是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO。BSO040N03MS采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO。