增强型场效应晶体管（FET）采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
- 电压控制小信号开关。
- 坚固可靠。
- 高饱和电流能力。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
NDS7002A-F169
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安 (Tc) 最大功耗: 300mW (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥34.30237
-
数量:
- +
- 总计: ¥34.30
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆@500毫安，10伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 280毫安 (Tc)
- 最大功耗 300mW (Tc)
- 样式 -
NDS7002A-F169 产品详情
增强型N沟道MOSFET，Fairchild半导体
NDS7002A-F169 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NDS-SET | 格林利 (Greenlee) | NUT DRIVER SET HEX SOCKET 3PC | ¥322.47709 |
| NDS-09V | APEM公司 (APEM) | NDS-09V | ¥10.42978 |
| NDS73PT9-16IT | Insignis (Insignis) | SDR 128MB X32 TSOPII 86L 10X22(X | ¥0.84022 |
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 | NDS6S2405C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
 | NDS6D2415C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 87.5% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
| NDS7002A-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.0774 |
| NDS-04V | 暂无 | ¥3.98308 | |
| NDS-02V | 类型：平拨，凸起式 电路结构：单刀单掷 开关位数：2 颜色：红色 | ¥3.1108 | |
 | NDS-06V | 暂无 | ¥3.54168 |
NDS7002A-F169所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDS7002A-F169 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDS7002A-F169价格参考￥34.302374，你可以下载 NDS7002A-F169中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDS7002A-F169规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
