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2N7002E-7-G

Name: 2N7002E-7-G
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7167736-2N7002E-7-G
Price: 52.300981 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:MOSFET N-CH 60V SOT23
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

库存: 9000
单价: ¥52.30098
数量:
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规格参数

场效应管特性 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
技术 -
场效应管类型 -
漏源电压标 (Vdss) -
导通电阻 Rds(ON) -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
最大功耗 -
工作温度 -
安装类别 -
供应商设备包装 -
包装/外壳 -
漏源电流 (Id) @ 温度 -
部件状态过时的

2N7002E-7-G 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

特色

低导通电阻：2.5Ω低阈值：2.1 V低输入电容：22 pF快速开关速度：7 ns低输入和输出泄漏

2N7002E-7-G 相关器件

型号	制造商	描述	价格
2N7000RLRP	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92	¥0.28972
2N7002CK,215	恩智浦 (NXP)	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23	¥0.14486
2N7002BKV,115	恩智浦 (NXP)	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666	¥0.36215
2N7002E,215	恩智浦 (NXP)	MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23	¥0.28972
2N7002KQBZ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.89716
2N7002K 72K	江苏长电/长晶 (CJ)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA	¥0.18708
2N7002（丝印12W）	时科 (SHIKUES)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA	¥0.09601
2N7002-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A	¥0.1106
2N7002KD	富芯森美 (FUXINSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA	¥0.21651
2N7002T-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW	¥0.16258

2N7002E-7-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7002E-7-G 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7002E-7-G价格参考￥52.300981，你可以下载 2N7002E-7-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7002E-7-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！