9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSZ105N04NSGATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSZ105N04NSGATMA1参考价格0.19000美元。Infineon Technologies BSZ105N04NSGATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON。您可以下载BSZ105N04NSGATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSZ105N04NS G是MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ105NO4NSGATMA1 BSZ105NO 4NSGTXT SP000388301的零件别名，该BSZ105N 4NSGTT SP000388311提供SMD/SMT等安装类型功能，商品名设计用于OptiMOS，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.6ns，上升时间为1.2ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.5ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
BSZ100N06NSATMA1带有用户指南，其中包括OptiMOS商品名，它们设计用于使用Si技术，数据表注释中显示了零件别名，用于BSZ100NO6NS SP001067006，该产品提供卷筒等包装功能，包装箱设计用于TSDSON-8。
BSZ105N04N，带有INFINEON制造的电路图。BSZ105N04N在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
BSZ105N04NSG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSZ105N04NSG采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
