光学MOS™ 产品以高性能封装提供，以应对最具挑战性的应用，在有限的空间内提供充分的灵活性。这些Infineon产品旨在满足并超过计算应用中的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
用于SMPS的快速开关MOSFET
DC/DC转换器的优化技术
根据JEDEC1）对目标应用进行认证
N通道，逻辑电平
优秀的栅极电荷x R DS（on）乘积（FOM）
导通电阻非常低R DS（开）
无铅电镀
BSZ165N04NSGATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta), 31A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 726
- 库存: 0
- 单价: ¥1.23129
-
数量:
- +
- 总计: ¥893.92
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 2.1W（Ta）、25W（Tc）
- 供应商设备包装 PG-TSDSON-8
- 导通电阻 Rds(ON) 16.5毫欧姆@20A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 840 pF @ 20 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 10A
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.9A (Ta), 31A (Tc)
- 样式 -
BSZ165N04NSGATMA1 产品详情
英飞凌OptiMOS™3个功率MOSFET，最高40V
BSZ165N04NSGATMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSZ0503NSIATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | TRENCH <= 40V | ¥2.92567 |
 | BSZ076N06NS3G | 英飞凌 (Infineon) | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.11445 |
 | BSZ0909NDXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 供应商设备包装: PG-WISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.87833 |
 | BSZ215CHXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A, 3.2A 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
| BSZ340N08NS3G | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.82738 | |
| BSZ036NE2LS | 英飞凌 (Infineon) | ¥2.1888 | |
| BSZ0901NS | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.09634 | |
| BSZ0909NS | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.44568 | |
| BSZ096N10LS5 | 英飞凌 (Infineon) | ¥13.23495 | |
| BSZ0945ND | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.70643 |
BSZ165N04NSGATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSZ165N04NSGATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSZ165N04NSGATMA1价格参考￥1.231293，你可以下载 BSZ165N04NSGATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSZ165N04NSGATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
