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DMG6968UQ-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥16.55727
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.56
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大功耗 1.3W(Ta)
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 151 pF@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 25欧姆@6.5A,4.5V
  • 色彩/颜色 -

DMG6968UQ-7 产品详情

机械数据
•案例:SOT23
•外壳材料:模制塑料,“绿色”模制化合物。UL可燃性分类等级94V-0
•湿度敏感度:根据J-STD-020为1级
•端子:表面处理——铜引线框架上退火的亚光锡。可根据MIL-STD-202方法208焊接
•端子连接:见下图
•重量:0.008克(近似值)

特色


•低导通电阻
•2500万Ω @ VGS=4.5伏
•2900万Ω @ VGS=2.5伏
•3600万Ω @ VGS=1.8伏
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•ESD保护敢达2kV

DMG6968UQ-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMG6968UQ-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMG6968UQ-7价格参考¥16.557269,你可以下载 DMG6968UQ-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMG6968UQ-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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