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NDT01N60T1G是MOSFET NFET SOT223 600V 0.4A 65M，包括NDT01N60系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-223-3以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为21.3 ns，上升时间为5.1 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为400 mA，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.3V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.5ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为7.2nC，沟道模式为增强。
NDT016-G1A-ABBT，带有TMEC制造的用户指南。NDT016-G1A-ABBT采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
NDT016-G1A-ABBT-A，电路图由MISAKI制造。是IC芯片的一部分。
