Fairchild Semiconductor的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，为广泛的应用提供一流的运行性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、DC-DC转换器、等离子显示面板（PDP）、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻（RDS（on））降低导通状态损耗，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）降低开关损耗。通过使用先进的QFET®工艺技术，Fairchild可以提供优于竞争对手的平面MOSFET器件的改进的品质因数（FOM）。
FQA7N80C-F109
- 描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 21.29412 | 21.29412 |
| 10+ | 19.14298 | 191.42985 |
| 100+ | 15.68377 | 1568.37760 |
- 库存: 393
- 单价: ¥21.29413
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.29
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
FQA7N80C-F109 产品详情
QFET®N沟道MOSFET，6A至10.9A，Fairchild半导体
FQA7N80C-F109 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQA020ADC-N07-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,461.25508 |
 | FQA020ADC-007-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,022.76991 |
 | FQA020ADC-N07-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,005.02966 |
 | FQA020ADC-007-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,435.76492 |
 | FQA70N10 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 214W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.38056 |
 | FQAF11N90C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.4598 |
 | FQA62N25C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.13487 |
 | FQA11N90C-F109 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.63146 |
 | FQA90N15 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.48301 |
 | FQA8N90C-F109 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 |
FQA7N80C-F109所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQA7N80C-F109 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQA7N80C-F109价格参考￥21.294126，你可以下载 FQA7N80C-F109中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQA7N80C-F109规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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