9icnet为您提供由onsemi设计和生产的5HN01S-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。5HN01S-TL-E参考价格为0.09000美元。onsemi 5HN01S-TL-E封装/规格：MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3。您可以下载5HN01S-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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5HN01M-TL-E是MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3，包括5HN01M系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004395盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-323-3以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为75 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50 V，Rds漏极源极电阻为5.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
5HN01M-TL-H带有用户指南，包括50 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.004395 oz单位重量下工作，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及5HN01M系列，该器件也可以用作7.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷筒式，该设备采用SOT-323-3包装箱，该设备具有1个通道数，Id连续漏电流为100 mA。
5HN01M-TL，电路图由SANYO制造。5HN01M-TL在SOT323封装中提供，是FET的一部分-单个。
