9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MDI150-12A4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MDI150-12A4参考价格为10133.517585美元。IXYS MDI150-12A4封装/规格：IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB。您可以下载MDI150-12A4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MDI150-12A4价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MDI145-12A3是IGBT NPT BUCK 1200V 160A Y4-M5，包括MDI145系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型功能，如螺钉，包装箱设计用于Y4-M5以及底盘安装安装类型，该设备也可以用作Y4-M5供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备以单配置提供，该设备最大功率为700W，集电器Ic最大值为160A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为6mA，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.5nF@25V，NTC热敏电阻为否，Pd功耗为700 W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.2 kV；25 C时的连续集电极电流为160 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
MDI100-12A3是IGBT NPT BUCK 1200V 135A Y4-M5，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、75A Vce on Max Vge Ic下工作。数据表中显示了用于Y4-M5的供应商设备包，提供MDI100等系列功能，产品设计用于IGBT硅模块，以及560W功率最大值，该器件也可以用作560W Pd功率耗散。此外，包装为散装，该器件采用Y4-M5封装盒，该器件有一个NTC热敏电阻，安装方式为螺钉，安装类型为底盘安装，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+125℃，最大栅极发射极电压为+/-20 V，输入电容Cies Vce为5.5nF@25V，输入为标准，IGBT类型为NPT，栅极-发射极漏电流为300 nA，集电极Ic最大值为135A，集电极截止电流最大值为5mA，25℃时的连续集电极电流为135 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.2 kV。
MDI100-12A，带有IXYS制造的电路图。MDI100-12A在模块包中提供，是模块的一部分。
