英飞凌的一系列IGBT晶体管,集电极-发射极电压额定值为1100至1600V,采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。
•集电极-发射极电压范围1100至1600V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C
特色
- 降低传导损耗的最低VCEsat压降
- 低开关损耗
- 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换
- 非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
- 高强度,温度稳定
- 低EMI发射
- 低栅极电荷
- 非常紧密的参数分布
- 最高效率–低传导和开关损耗
- 600 V和1200 V的综合产品组合,设计灵活
- 设备可靠性高
应用
- 太阳能系统解决方案
- 电机控制和驱动
- 不间断电源(UPS)
- 工业加热和焊接