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IKW40N120T2FKSA1

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 79.09174 79.09174
  • 库存: 4
  • 单价: ¥79.09174
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥79.09
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 最大功率 480瓦
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大整流电流 (Icm) 160 A
  • IGBT型 沟槽
  • 最大集电极电流 (Ic) 75 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 40A
  • 试验条件 600V, 40A, 12欧姆, 15V
  • 开关能量 5.25mJ
  • 门电荷 192 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 33ns/314ns
  • 反向恢复时长 (trr) 258 ns

IKW40N120T2FKSA1 产品详情

Infineon TrenchStop IGBT晶体管,1100至1600V

英飞凌的一系列IGBT晶体管,集电极-发射极电压额定值为1100至1600V,采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。

•集电极-发射极电压范围1100至1600V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C

特色

  • 降低传导损耗的最低VCEsat压降
  • 低开关损耗
  • 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换
  • 非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
  • 高强度,温度稳定
  • 低EMI发射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布
  • 最高效率–低传导和开关损耗
  • 600 V和1200 V的综合产品组合,设计灵活
  • 设备可靠性高

应用

  • 太阳能系统解决方案
  • 电机控制和驱动
  • 不间断电源(UPS)
  • 工业加热和焊接
IKW40N120T2FKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKW40N120T2FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKW40N120T2FKSA1价格参考¥79.091744,你可以下载 IKW40N120T2FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKW40N120T2FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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