特色
- 降低传导损耗的最低Vce（sat）降
- 低开关损耗
- 由于Vce（sat）中的正温度系数，易于并联切换
- 高强度，温度稳定
- 低EMI发射
- 低栅极电荷
- 非常紧密的参数分布
- 最高的效率
- 低导通和开关损耗
应用
电源管理、替代能源、工业
IKW75N60TFKSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 428 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 88.62617 | 88.62617 |
| 10+ | 85.09500 | 850.95000 |
| 30+ | 78.98901 | 2369.67030 |
- 库存: 10
- 单价: ¥88.62617
-
数量:
- +
- 总计: ¥88.63
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 集电极击穿电压 600 V
- 最大整流电流 (Icm) 225 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 75A
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
- 试验条件 400V, 75A, 5欧姆, 15V
- 最大功率 428 W
- 开关能量 4.5mJ
- 门电荷 470 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 33ns/330ns
- 反向恢复时长 (trr) 121纳秒
IKW75N60TFKSA1 产品详情
IKW75N60TFKSA1是一种600V分立IGBT，具有非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。挖沟机™ 由于沟槽顶部单元和场停止概念的结合，IGBT技术导致器件的静态和动态性能的显著改善。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。分立IGBT是硬开关应用以及软开关应用和其他谐振应用的理想选择。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IKW50N65H5 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥35.14359 |
 | IKW40T120 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥51.81158 |
IKW75N60TFKSA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IKW75N60TFKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IKW75N60TFKSA1价格参考￥88.626174，你可以下载 IKW75N60TFKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IKW75N60TFKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
