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IKW40N120H3FKSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 483 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 56.23605 56.23605
10+ 49.97242 499.72425
30+ 46.15749 1384.72485
90+ 37.73942 3396.54843
  • 库存: 121
  • 单价: ¥56.23606
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥56.24
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 门电荷 185 nC
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 最大整流电流 (Icm) 160 A
  • 最大功率 483 W
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 40A
  • 试验条件 600V, 40A, 12欧姆, 15V
  • 开通/关断延时 (25°C) 30ns/290ns
  • 开关能量 4.4mJ
  • 反向恢复时长 (trr) 355 ns

IKW40N120H3FKSA1 产品详情

IKW40N120H3FKSA1是一种1200V分立IGBT,具有非常软、快速恢复的反并联二极管,专门设计用于在频率低于70kHz的应用中替换平面MOSFET。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为,从而导致低关断损耗。分立IGBT是硬开关应用以及软开关应用和其他谐振应用的理想选择。

特色

  • 低开关损耗,实现高效率
  • 具有低EMI发射的快速开关行为
  • 可以选择低栅极电阻(低至5R),同时保持良好的开关性能
  • 短路能力
  • 出色的性能
  • 低开关和传导损耗

应用

电源管理,替代能源
IKW40N120H3FKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKW40N120H3FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKW40N120H3FKSA1价格参考¥56.236056,你可以下载 IKW40N120H3FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKW40N120H3FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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