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IKW75N65EL5XKSA1

  • 描述:集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 85.38872 85.38872
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 最大整流电流 (Icm) 300 A
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.35V@15V,75A
  • 最大功率 536 W
  • 开关能量 1.61mJ(开),3.2mJ(关)
  • 门电荷 436 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 40ns/275ns
  • 试验条件 400V, 75A, 4欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 114纳秒

IKW75N65EL5XKSA1 产品详情

Infineon TrenchStop IGBT晶体管,600和650V

英飞凌的一系列IGBT晶体管,集电极-发射极电压额定值为600和650V,采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。

•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C

特色

  • 最低饱和电压V CE(sat)仅为1.05V
  • 30A IGBT在25°C时的低开关损耗为1.6mJ
  • 电气参数的高热稳定性-随着温度从25°C升高到175°C,仅2%的漂移
  • TO-247 4pin开尔文发射器封装的效率提高,开关损耗降低20%
  • 50Hz时效率更高
  • IGBT寿命更长,可靠性更高
  • 热性能稳定,设计可靠性高

应用

  • 不间断电源
  • 太阳的
  • 焊接

 

IKW75N65EL5XKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKW75N65EL5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKW75N65EL5XKSA1价格参考¥85.388721,你可以下载 IKW75N65EL5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKW75N65EL5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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