英飞凌的一系列IGBT晶体管,集电极-发射极电压额定值为600和650V,采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。
•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C
特色
- 最低饱和电压V CE(sat)仅为1.05V
- 30A IGBT在25°C时的低开关损耗为1.6mJ
- 电气参数的高热稳定性-随着温度从25°C升高到175°C,仅2%的漂移
- TO-247 4pin开尔文发射器封装的效率提高,开关损耗降低20%
- 50Hz时效率更高
- IGBT寿命更长,可靠性更高
- 热性能稳定,设计可靠性高
应用
- 不间断电源
- 太阳的
- 焊接