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IKW50N65EH5XKSA1

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 275瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 31.05103 31.05103
  • 库存: 16
  • 单价: ¥31.05104
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥31.05
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3
  • IGBT型 沟槽
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 50A
  • 门电荷 "120 NC"
  • 最大整流电流 (Icm) 200 A
  • 最大功率 275瓦
  • 开关能量 1.5mJ(开),500J(关闭)
  • 开通/关断延时 (25°C) 25ns/172ns
  • 试验条件 400V, 50A, 12欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 81 ns

IKW50N65EH5XKSA1 产品详情

高速650 V硬开关IGBT TRENCHSTOPTM 5与RAPID 1快速和软反并联二极管一起封装在TO-247封装中,被定义为“同类最佳”IGBT。

特色

  • 650 V击穿电压
  • 与同类最佳的HighSpeed 3系列相比
  • 系数2.5较低Qg
  • 因素2开关损耗的减少
  • VCEsat降低200mV
  • 与Rapid Si二极管技术共封装
  • 低COES/EOSS
  • 温和正温度系数VCEsat
  • Vf的温度稳定性
  • 一流的效率,导致更低的连接和
    外壳温度可提高设备可靠性
  • 母线电压可能增加50 V,但不会影响
    可靠性
  • 更高的功率密度设计

应用

  • 不间断电源(UPS)系统
  • 工业加热和焊接
IKW50N65EH5XKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKW50N65EH5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKW50N65EH5XKSA1价格参考¥31.051037,你可以下载 IKW50N65EH5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKW50N65EH5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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