高速DuoPack:沟槽IGBT和Fieldstop技术,软、快速
恢复反并联二极管
特征
TRENCHSTOPTM技术产品
1.非常低的VCEsat
2.低EMI
3.非常软、快速恢复的反并联二极管
4.最高结温175°C
5.根据JEDEC对目标应用进行认证
6.无铅铅镀层;符合RoHS
7.完整的产品谱和PSpice模型:
应用
1.不间断电源
2.焊接转换器
3.具有高开关频率的转换器
特色
- 低开关损耗,实现高效率
- 卓越的Vce(sat)性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
- 具有低EMI发射的快速开关行为
- 针对目标应用的优化二极管,意味着开关损耗的进一步改善
- 可以选择低栅极电阻(低至5Ω),同时保持良好的开关性能
- 短路能力5µs
- 提供175°C的Tj(最大值)
- 带和不带续流二极管的封装,增加了设计自由度
- 低开关和传导损耗
- EMI性能非常好
- 可与小栅极电阻器一起使用,以减少延迟时间和电压过冲
- 高电流密度
- 一流的600 V IGBT效率和EMI性能
应用
- 不间断电源(UPS)
- 工业加热和焊接
- 太阳能系统解决方案