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IKW75N65ES5XKSA1

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 51.85916 51.85916
10+ 46.83259 468.32591
100+ 38.77051 3877.05190
500+ 37.88036 18940.18350
  • 库存: 0
  • 单价: ¥51.85916
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥51.86
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 最大整流电流 (Icm) 300 A
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3
  • IGBT型 沟槽
  • 反向恢复时长 (trr) 85 ns
  • 最大功率 395 W
  • 门电荷 164 nC
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.75V@15V,75A
  • 开关能量 2.4mJ (on), 950J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 40ns/144ns
  • 试验条件 400V, 75A, 18欧姆, 15V

IKW75N65ES5XKSA1 产品详情

650 V,75 A硬开关TRENCHSTOP™ TO247封装中的5个S5 IGBT解决了在10 kHz和40 kHz之间切换的应用,以提供高效率、更快的上市周期、电路设计复杂性降低和PCB材料成本优化。

特色

  • 25°C时1.35 V的极低VCEsat,比TRENCHSTOP低20%™ 5小时5
  • 4倍Ic脉冲电流(100°C Tc)
  • 无尾流的软电流下降特性
  • 对称、低压过冲
  • 栅极电压受控(无振荡)。无意外开启装置的风险,无需闸门夹紧
  • 最高结温Tvj=175°C
  • 符合JEDEC标准
  • 不需要VCEpeak钳位电路
  • 无需闸门夹紧组件
  • 良好的EMI性能
  • 非常适合并联

应用

潜在应用

         
IKW75N65ES5XKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKW75N65ES5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKW75N65ES5XKSA1价格参考¥51.859164,你可以下载 IKW75N65ES5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKW75N65ES5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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