起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 30.42018 | 30.42018 |
| 10+ | 27.29124 | 272.91247 |
| 100+ | 22.36245 | 2236.24540 |
| 500+ | 19.94404 | 9972.02450 |
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英飞凌的新型L5低饱和电压（V行政长官（sat）)挖沟机™ IGBT系列专门针对50Hz至20kHz的低开关频率进行了优化。创新型55µm TRENCHSTOP载体外形的优化™ 5薄晶圆技术可将传导损耗降低到本质上的低水平–30A IGBT为1.05V，75A IGBT为1.10V。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IKW40N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | ¥14.22143 |
 | IKW50N65F5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | ¥29.97295 |
 | IKW20N60TFKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 166 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 | ¥26.58144 |
 | IKW50N65SS5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 274 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥88.21852 |
 | IKW40N120H3 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥64.83278 |
 | IKW75N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥25.57251 |
 | IKW40N120CS6 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥53.44054 |
 | IKW75N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥39.63113 |
 | IKW50N65H5 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥35.14359 |
 | IKW40T120 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥51.81158 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
