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1200 V，25 A硬开关TRENCHSTOP™ IGBT3与TO247封装中的续流二极管共同封装，由于沟槽单元和场阻概念的结合，显著改善了器件的静态和动态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
潜在应用
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IKW40N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | ¥14.22143 |
 | IKW50N65F5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | ¥29.97295 |
 | IKW20N60TFKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 166 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 | ¥26.58144 |
 | IKW50N65SS5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 274 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥88.21852 |
 | IKW40N120H3 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥64.83278 |
 | IKW75N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥25.57251 |
 | IKW40N120CS6 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥53.44054 |
 | IKW75N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥39.63113 |
 | IKW50N65H5 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥35.14359 |
 | IKW40T120 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥51.81158 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
