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一般说明
AO4404B采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。源极引线分开以允许与源极的开尔文连接，这可用于绕过源极电感。标准产品AO4404B不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。
VDS（V）=30V
ID=8.5A（VGS=10V）
RDS（开启）<24mΩ （VGS=10V）
RDS（开启）<30mΩ （VGS=4.5V）
RDS（开启）<48mΩ （VGS=2.5V）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AO4407C | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆 | ¥1.54346 | |
 | AO4882-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882 | ¥1.73742 |
 | AO4616(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.14847 |
| AO4435-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A | ¥1.1367 |
| AO4410-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A | ¥0.98694 |
 | AO4606 | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：1个N沟道和1个P沟道 | ¥1.6422 |
| AO4435 | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.46162 |
| AO4407-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A | ¥1.17054 |
| AO4411(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.86192 |
| AO4419(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.69013 |
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工...
