9icnet为您提供由onsemi设计和生产的J174_D27Z,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。J174_D27Z参考价格$19.4508。onsemi J174_D27Z包装/规格:JFET P-CH 30V 0.35W TO92。您可以下载J174_D27Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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J174126是JFET P-CH 30V 400MW TO92-3,包括磁带盒(TB)封装,设计用于to-226-3、to-92-3(to-226AA)(成型引线)封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备封装功能,如to-92,FET类型设计用于P通道,以及400MW最大功率,该器件也可以用作30V电压击穿V BRGSS。此外,漏极到源极电压Vdss为30V,该设备提供20mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0,该设备具有5V@10nA电压切断Vgs关闭Id,输入电容Ciss Vds为8pF@10V(Vgs),电阻RDS开启为85欧姆。
J174_D27Z,带用户指南,包括5V@10nA电压切断VGS关闭Id,它们设计用于30V电压击穿V BRGSS,数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包,该设备提供电阻RDS开启功能,如85欧姆,最大功率设计用于350mW,以及磁带和卷轴(TR)封装,该设备也可以用作to-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成型引线)封装盒。此外,安装类型为通孔,该器件为P沟道FET型,该器件具有20mA@15V的电流漏Idss Vds Vgs=0。
J174_D74Z带有电路图,包括20mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0,它们设计为与P沟道FET类型一起工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供封装外壳功能,如to-226-3、to-92-3(to-226AA)(成型引线),封装设计为在磁带盒(TB)中工作,以及350mW最大功率,该设备也可以用作85欧姆电阻RDS On。此外,供应商设备包是TO-92-3,该设备提供30V电压击穿V BRGSS,该设备具有5V@10nA电压切断VGS关闭Id。
J174_D75Z,带EDA/CAD型号,包括TO-92-3供应商设备包,它们设计用于TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)(成型引线)封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供封装功能,如磁带盒(TB),FET类型设计用于P通道,以及85欧姆电阻RDS on,该设备还可以用作5V@10nA电压切断VGS关闭Id.此外,功率最大值为350mW,该设备提供30V电压击穿V BRGSS,该设备具有20mA@15V电流漏Idss Vds VGS=0。