特色
- 30V漏极栅极电压
- -30V栅极-源极电压
- 50mA正向栅极电流
应用
工业、电源管理
J174_D74Z
- 描述:场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 85 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥25.77603
-
数量:
- +
- 总计: ¥25.78
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 击穿电压（V（BR）GSS） 30伏
- 最大正向电流 (Id) -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 安装类别 通孔
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20 mA@15 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引线
- 供应商设备包装 TO-92-3
- 场效应管类型 P-通道
- 最大功率 350毫瓦
- 部件状态 过时的
- 关闭电压 (VGS off) @ Id 5 V @ 10 nA
- 电阻-RDS(On) 85 Ohms
J174_D74Z 产品详情
J176_D74Z是一种P通道JFET开关，主要用于低电平模拟开关、采样和保持电路、斩波稳定放大器。
J174_D74Z 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | J1737-9-12-2 | 苏里奥 (Souriau-Sunbank) | BACKSHELL | ¥762.46008 |
 | J174,126 | 恩智浦 (NXP) | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 400毫瓦 电阻-RDS(On): 85 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥127.38813 |
 | J176,126 | 恩智浦 (NXP) | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 400毫瓦 电阻-RDS(On): 250欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥172.19995 |
 | J176_D74Z | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 250欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.52633 | |
 | J174_D75Z | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 85 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥190.16813 |
 | J174_D27Z | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 85 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥140.8802 |
| J174_D74Z | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 85 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.77603 |
| J174 TO-92 3L ROHS | JFET P-CH 30V TO92 | ¥0.00 | |
| J175 TO-92 3L ROHS | JFET P-CH 30V TO92 | ¥0.00 | |
| J176 TO-92 3L ROHS | JFET P-CH 30V TO92 | ¥0.00 |
J174_D74Z所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，J174_D74Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。J174_D74Z价格参考￥25.776033，你可以下载 J174_D74Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询J174_D74Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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