9icnet为您提供由onsemi设计和生产的J175_D27Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。J175_D27Z参考价格$31.3296。onsemi J175_D27Z包装/规格：JFET P-CH 30V 0.35W TO92。您可以下载J175_D27Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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J175_D26Z，带引脚细节，包括切割胶带（CT）替代包装包装，其设计为在0.001940oz单位重量下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）等封装盒功能，安装类型设计为在通孔中工作，以及TO-92-3供应商设备包，该设备也可作为单一配置使用。此外，FET类型为P沟道，该器件的最大功率为350mW，该器件具有30V的电压击穿V BRGSS，电流漏极Idss Vds Vgs=0为7mA@15V，电压截止Vgs关闭Id为3V@10nA，电阻RDS开启为125欧姆，Pd功耗为350 mW，RDS开启漏极-源极电阻为125欧姆，Vgs栅极-源极击穿电压为30V，栅极-源截止电压为6V。
J175_D27Z，带用户指南，包括3V@10nA电压切断VGS关闭Id，它们设计用于30V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包，该设备提供电阻RDS开启功能，例如125欧姆，功率最大设计用于350mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作to-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）封装盒。此外，安装类型为通孔，该器件为P沟道FET型，该器件具有7mA@15V的漏电流Idss Vds Vgs=0。
带有电路图的J175_D74Z，包括7mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计为与P沟道FET类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）等封装外壳功能，封装设计为在磁带盒（TB）中工作，以及最大功率350mW，该设备也可以用作125欧姆电阻RDS On。此外，供应商设备包是TO-92-3，该设备提供30V电压击穿V BRGSS，该设备具有3V@10nA电压切断VGS关闭Id。
J175_D75Z，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3供应商器件封装，设计用于TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供封装功能，如磁带盒（TB），FET类型设计用于P通道，以及7mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，该设备还可以用作3V@10nA电压切断VGS关闭Id.此外，功率最大值为350mW，该设备提供30V电压击穿V BRGSS，该设备具有125欧姆的电阻RDS开启。
