9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXEH25N120D1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXEH25N120D1参考价格为15.156美元。IXYS IXEH25N120D1封装/规格：IGBT 1200V 36A 200W TO247AD。您可以下载IXEH25N120D1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXEH25N120是IGBT 1200V 36A 200W TO247AD，包括管式封装，它们设计为与to-3P-3全封装外壳一起工作，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在to-247AD中工作，以及200W最大功率，该器件还可以用作36A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器发射极击穿最大值为1200V，该器件为NPT IGBT型，该器件在15V时具有3.2V，最大Vge Ic上的Vce为25A，开关能量为4.1mJ（开）、1.5mJ（关），栅极电荷为100nC，测试条件为600V、20A、68欧姆、15V。
IXE611S1是IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC，包括8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商器件封装，它们设计为与散装封装一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于表面安装，提供数个ADC DAC功能，如。
IXE611S1T/R是IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC，包括多个ADC DAC，它们设计用于表面安装封装盒。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）的封装，该磁带和卷轴提供了供应商器件封装功能，如8-SOIC。
