9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXEH40N120，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXEH40N120参考价格为2.614美元。IXYS IXEH40N120封装/规格：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD。您可以下载IXEH40N120英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXEH25N120D1是IGBT 1200V 36A 200W TO247AD，包括管封装，它们设计为与to-3P-3全封装外壳一起工作，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在to-247AD中工作，以及200W最大功率，该设备也可以用作130ns反向恢复时间trr。此外，集电器Ic最大值为36A，该器件提供1200V集电器-发射极击穿最大值，该器件具有IGBT类型的NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V，25A，开关能量为4.1mJ（开），1.5mJ（关），栅极电荷为100nC，测试条件为600V，20A，68欧姆，15V。
IXEH25N120是IGBT 1200V 36A 200W TO247AD，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.2V@15V、25A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于600V、20A、68 Ohm、15V，提供4.1mJ（开）、1.5mJ（关）等开关能量特性。供应商设备包设计为在to-247AD下工作，除了200W最大功率外，该设备还可以用作管包装。此外，封装盒为TO-3P-3全封装，器件采用通孔安装型，器件具有输入型标准，IGBT类型为NPT，栅极电荷为100nC，集流器Ic Max为36A。
IXE611S1T/R是IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC，包括多个ADC DAC，它们设计用于表面安装封装盒。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）的封装，该磁带和卷轴提供了供应商器件封装功能，如8-SOIC。
