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IKW15N120BH6XKSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 19.63550 19.63550
  • 库存: 6
  • 单价: ¥19.63550
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.64
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 最大整流电流 (Icm) 60 A
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 30 A
  • 最大功率 200瓦
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-41
  • 反向恢复时长 (trr) 340 ns
  • 门电荷 92 nC
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 15A
  • 试验条件 600V, 15A, 22欧姆, 15V
  • 开关能量 700J (on), 550J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 18ns/240ns

IKW15N120BH6XKSA1 产品详情

高速1200 V,15 A硬开关TRENCHSTOP™ IGBT4与TO247封装中的续流二极管共同封装,提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为,导致低关断损耗。

特色

  • 专门设计用于在低于70kHz的频率下切换的应用中取代平面MOSFET
  • 低开关损耗,实现高效率
  • 卓越的VCEsat性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
  • 具有低EMI发射的快速开关行为
  • 针对目标应用的优化二极管,意味着开关损耗的进一步改善
  • 可以选择低栅极电阻(低至5Ω),同时保持良好的开关性能
  • 短路能力
  • 提供175°C的Tj(最大值)
  • 带和不带续流二极管的封装,增加了设计自由度
  • 低开关和传导损耗
  • EMI性能非常好
  • 可与小栅极电阻器一起使用,以减少延迟时间和电压过冲
  • 高电流密度
  • 一流的1200V IGBT效率和EMI性能

应用

潜在应用

         
IKW15N120BH6XKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKW15N120BH6XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKW15N120BH6XKSA1价格参考¥19.635502,你可以下载 IKW15N120BH6XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKW15N120BH6XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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