半桥栅极驱动器IC非反相8-SOIC-EP
门驱动器4A 100V高f半桥门驱动器
特色
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- 100V VBST电压范围
- 片上自举二极管
- 典型传播延迟20ns
- 小于5ns的栅极驱动匹配
- 驱动2.2nf负载,15nm上升时间和12ns下降时间,12V VDD
- TTL兼容输入
- 静态电流小于150μA
- 高压侧和低压侧的UVLO
- SOIC8E封装
起订量: 2500
数量 | 单价 | 合计 |
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2500+ | 9.88655 | 24716.39750 |
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