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IXBX75N170是IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247，包括BIMOSFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于BIMOSFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在PLUS247中提供-3供应商设备包，该设备的最大功率为1040W，反向恢复时间trr为1.5μs，集电器Ic最大值为200A，集电器发射极击穿最大值为1700V，集电器脉冲Icm为580A，最大Vge Ic上的Vce为3.1V@15V，75A，栅极电荷为350nC，其最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-55℃。
IXBX75N170A是IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247，包括1700V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在6V@15V、42A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.229281盎司，提供BIMOSFET等商品名功能，测试条件设计为在1360V、42A、1 Ohm、15V以及26ns/418ns Td开-关25°C下工作，该装置也可用作3.8mJ（关断）开关能量。此外，供应商设备包是PLUS247-3、该器件采用BIMOSFET？系列，该器件具有360ns的反向恢复时间trr，最大功率为1040W，包装为管式，包装箱为TO-247-3，安装方式为通孔，安装类型为通孔式，输入类型为标准型，栅极电荷为358nC，集电器脉冲Icm为300A，集电器Ic最大值为110A。
IXBX64N250是IGBT 2500V，包括156A集电器Ic Max，它们设计用于600A集电器脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于400nC，提供标准输入型功能，安装型设计用于通孔，以及to-247-3封装盒，该器件也可用作管封装。此外，最大功率为735W，该器件提供160ns反向恢复时间trr，该器件具有BIMOSFET？供应商设备包是PLUS247-3，25°C时的Td为49ns/232ns，测试条件为1250V、128A、1 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为3V@15V、64A，集电极-发射极击穿最大值为2500V。
