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IXBX75N170A是IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247，包括BIMOSFET？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于BIMOSFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在PLUS247中提供-3供应商设备包，该设备的最大功率为1040W，反向恢复时间trr为360ns，集电器Ic最大值为110A，集电器发射极击穿最大值为1700V，集电器脉冲Icm为300A，最大Vge Ic上的Vce为6V@15V，42A，开关能量为3.8mJ（关断），栅极电荷为358nC，25°C下的Td为26ns/418ns，测试条件为1360V、42A、1欧姆、15V。
IXC611P1是IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP，包括8-DIP（0.300“，7.62mm）供应商设备包，它们设计用于管式封装，数据表说明中显示了用于通孔的封装盒，该通孔提供数个ADC DAC功能，如。
IXC611S1是IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC，包括多个ADC DAC，它们设计为与表面安装封装盒一起工作，封装如数据表注释所示，用于散装，提供供应商器件封装功能，如8-SOIC。
