半桥栅极驱动器IC非反相8-SOIC-EP
100V高频半桥门驱动器
特色
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- 100V VBST电压范围
- 片上自举二极管
- 典型的16ns传播延迟时间
- 小于5ns的栅极驱动器匹配
- 驱动1nF负载,12ns/9ns上升/下降时间,12V VDD
- TTL兼容输入
- 小于150静态电流
- 高压侧和低压侧的UVLO
- 在SOIC8 EPAD封装中
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 14.48580 | 14.48580 |
10+ | 13.02273 | 130.22734 |
25+ | 12.28395 | 307.09895 |
100+ | 10.46599 | 1046.59910 |
250+ | 9.82716 | 2456.79175 |
500+ | 8.59877 | 4299.38550 |
1000+ | 7.12469 | 7124.69600 |
2500+ | 6.95318 | 17382.96000 |
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