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MPQ2907A是TRANS 4PNP 60V 0.6A，包括MPQ29系列，它们设计用于管包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及通孔安装类型，该设备也可以用作to-116供应商设备封装。此外，配置为Quad，该设备提供650mW功率最大，该设备具有4 PNP（Quad）晶体管型，集电器Ic最大值为600mA，集电器发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@300mA、10V，Vce饱和最大Ib Ic为1.6V@30mA、300mA，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为200MHz，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为1.6 V，集电极基极电压VCBO为60 V、发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为600 mA，并且增益带宽乘积fT为200MHz，并且DC集电极基极增益hfe Min在10mV下300mA时为50。
MPQ2907是TRANS 4PNP 40V 0.6A，包括40V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.6V@30mA、300mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于4 PNP（Quad），提供晶体管极性功能，如PNP，供应商设备包设计用于to-116以及MPQ29系列，该设备也可以用作650mW最大功率。此外，Pd功耗为2000mW，该设备具有14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）其最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为0.6 A，增益带宽积fT为200 MHz，频率转换为200MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@300mA，10V，直流集电极基极增益hFE最小为50，集电极Ic最大为600mA，集电极截止最大为50nA（ICBO），配置为Quad，集电极发射极电压VCEO最大为40V，集电极-发射极饱和电压为1.6V，集极基极电压VCBO为60V。
MPQ28261DL-LF-Z带电路图，包括3A电流输出，设计用于500kHz频率开关，功能如数据表注释所示，用于降压，提供表面安装等安装类型功能，输出数量设计为1，工作温度范围为-40°C~125°C（TJ），该设备也可以用作正输出配置。此外，输出类型是可调的，该设备采用14-VFDFN外露衬垫包装盒，该设备具有包装带和卷轴（TR），供应商设备包装为14-QFN（3x4），同步整流器为是，拓扑为Buck，电压输入最大值为21V，电压输入最小值为4.5V，电压输出最大值为18V，固定电压输出最小值为0.603V。
MPQ2907P，带有MOT制造的EDA/CAD模型。MPQ2907P采用DIP-14封装，是IC芯片的一部分。
