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VNV28N04TR-E是MOSFET N-CH 42V POWERSO10,包括OMNIFET?,VIPower?系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,数据表注释中显示了用于PowerSO-10暴露底部衬垫的包装盒,该衬垫具有非反转等输入型功能,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),以及N通道输出型,该设备也可用作开/关接口。此外,供应商设备包为10 PowerSO,该设备在1899/12/30 1:01:00比例输入:输出中提供,该设备具有1个输出数量,不需要电压源Vcc Vdd,故障保护为电流限制(固定)、过温、过电压和输出配置为低侧,Rds On Typ为35 mOhm(最大),电压负载为31V(最大),电流输出最大值为19A,开关类型为通用型。
VNV28N04是MOSFET POWER 42V 28A PWRSO10,包括不需要的电源Vcc Vdd,它们设计用于31V(最大)电压负载,开关类型如数据表注释所示,用于通用用途,提供供应商设备包功能,如10 PowerSO,系列设计用于OMNIFET?,VIPower?,以及35 mOhm(最大)Rds On Typ,该设备也可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入:输出。此外,包装为管状,设备采用PowerSO-10外露底部衬垫包装盒,设备具有N通道输出型,输出配置为低侧,工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),输出数量为1,接口为开/关,输入类型为非反相,故障保护为限流(固定),过温、过电压和电流输出最大值为19A。
VNV28N04-E是MOSFET N-CH 42V POWERSO10,包括19A最大电流输出,它们设计用于电流限制(固定)、过温、过电压故障保护,输入类型如数据表注释所示,用于非反相,提供开/关等接口功能,输出数量设计为1,它的工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),该设备也可以用作低端输出配置。此外,输出类型为N通道,该设备采用PowerSO-10暴露底部衬垫封装盒,该设备具有一个封装管,比率输入:输出为1899/12/30 1:01:00,Rds On Typ为35 mOhm(最大值),系列为OMNIFET?,VIPower?,供应商设备包为10 PowerSO,开关类型为通用型,电压负载为31V(最大值),不需要电源Vcc-Vdd。