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VNV35N07是MOSFET N-CH 70V 35A POWERSO-10？，VIPower？系列，它们设计用于管式封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如PowerSO-10暴露底部衬垫，输入类型设计用于非反相，以及N通道输出类型，该设备也可用作开/关接口。此外，供应商设备包为10 PowerSO，该设备在1899/12/30 1:01:00比例输入：输出中提供，该设备具有1个输出数量，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压和输出配置为低侧，Rds On Typ为28 mOhm（最大），电压负载为55V（最大），电流输出最大值为25A，开关类型为通用型，Pd功耗为125 W，工作电源电压为18 V，输出电流为25 A，导通电阻最大值为28 mOhms。
VNV28N04TR-E是MOSFET N-CH 42V POWERSO10，包括不需要的电源Vcc Vdd，它们设计用于31V（最大）电压负载，开关类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供供应商设备包功能，如10 PowerSO，系列设计用于OMNIFET？，VIPower？，以及35 mOhm（最大）Rds On Typ，该设备也可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用PowerSO-10外露底部衬垫包装盒，该设备具有N通道输出型，输出配置为低端，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），输出数量为1，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，电流输出最大值为19A。
VNV28N04-E是MOSFET N-CH 42V POWERSO10，包括19A最大电流输出，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为1，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N通道，该设备采用PowerSO-10暴露底部衬垫封装盒，该设备具有一个封装管，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为35 mOhm（最大值），系列为OMNIFET？，VIPower？，供应商设备包为10 PowerSO，开关类型为通用型，电压负载为31V（最大值），不需要电源Vcc-Vdd。
