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VNV49N0413TR是MOSFET OMNIFET 42V 49A POWERSO10？，VIPower？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如PowerSO-10暴露底部衬垫，输入型设计用于非反转，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可用作N通道输出型。此外，接口为开/关，该设备采用10 PowerSO供应商设备包提供，该设备具有1899/12/30 1:01:00的输入：输出比，输出数为1，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为40 mOhm（最大值），电压负载为33V（最大值），电流输出最大值为28A，开关类型为通用型，Pd功耗为125000 mW，工作电源电压为18 V，输出电流为28 A，导通电阻最大值为40 mOhms。
VNW100N04是MOSFET POWER TO-247，包括不需要的电源Vcc Vdd，它们设计用于35V（最大）电压负载，开关类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供供应商设备包功能，如TO-247-3，系列设计用于OMNIFET？，VIPower？，除了12 mOhm（最大）Rds On Typ，该设备还可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，包装为管式，设备采用TO-247-3包装箱，设备具有N通道输出类型，输出配置为低侧，输出数量为1，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，电流输出最大值为35A。
VNW35NV04带有ST制造的电路图。VNW35NV04采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
