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VNV49N0413TR是MOSFET OMNIFET 42V 49A POWERSO10？，VIPower？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如PowerSO-10暴露底部衬垫，输入型设计用于非反转，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可用作N通道输出型。此外，接口为开/关，该设备采用10 PowerSO供应商设备包提供，该设备具有1899/12/30 1:01:00的输入：输出比，输出数为1，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为40 mOhm（最大值），电压负载为33V（最大值），电流输出最大值为28A，开关类型为通用型，Pd功耗为125000 mW，工作电源电压为18 V，输出电流为28 A，导通电阻最大值为40 mOhms。
VNV49N04是MOSFET POWER 42V 49A PWRSO10，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计为在33V（最大）电压负载下工作，开关类型如数据表注释所示，用于一般用途，提供供应商设备包功能，如10 PowerSO，系列设计用于OMNIFET？，VIPower？，以及40 mOhm（最大）Rds On Typ，该设备也可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，Pd功耗为125 W，该器件采用管式封装，该器件具有一个PowerSO-10暴露的封装盒底部衬垫，输出类型为N通道，输出电流为28 a，输出配置为低压侧，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电压为18 V，导通电阻最大值为40 mOhms，输出数量为1，安装类型为SMD/SMT，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，电流输出最大值为28A。
VNV35NV04TR-E是IC PWR MOSFET M0 40V 30A PWRSO10，包括最大30A电流输出，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为1，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作低端输出配置。此外，输出类型为N通道，该设备采用PowerSO-10外露底部衬垫封装盒，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替封装，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为10 mOhm（最大值），系列为OMNIFET II？，VIPower？，供应商设备包为10 PowerSO，开关类型为通用型，电压负载为36V（最大值），不需要电源Vcc-Vdd。
