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VNV10N07-E是集成电路MOSFET OMNIFET 70V POWERSO10？，VIPower？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerSO-10暴露底部衬垫，输入类型设计用于非反相，以及N通道输出类型，该设备也可用作开/关接口。此外，供应商设备包为10 PowerSO，该设备在1899/12/30 1:01:00比例输入：输出中提供，该设备具有1个输出数量，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压和输出配置为低侧，Rds On Typ为100 mOhm（最大值），电压负载为55V（最大值，电流输出最大值为7A，开关类型为通用型，Pd功耗为50000 mW，工作电源电压为18 V，输出电流为7 A，导通电阻最大值为100 mOhms。
VNV10N07TR-E是IC PWR MOSFET M0 70V 10A PWRSO10，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于55V（最大）电压负载，开关类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供供应商设备包功能，如10 PowerSO，系列设计用于OMNIFET？，VIPower？，除了100 mOhm（最大）Rds On Typ，该设备还可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备采用PowerSO-10暴露底部衬垫包装盒，设备具有N通道输出类型，输出配置为低侧，输出数量为1，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压、，电流输出Max为7A。
VNV14N04是MOSFET POWER AUTOPROT POWERSO10，包括10A最大电流输出，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，输出数量设计为1，以及低侧输出配置，该器件也可以用作N通道输出类型。此外，包装箱为PowerSO-10外露底部衬垫，该设备采用管式包装，该设备具有1899/12/30 1:01:00的输入输出比，Rds On Typ为70 mOhm（最大值），系列为OMNIFET？，VIPower？，供应商设备包为10 PowerSO，开关类型为通用型，电压负载为35V（最大值），不需要电源Vcc-Vdd。
