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VNV20N07TR-E是IC PWR MOSFET M0 70V 20A PWRSO10,包括OMNIFET?,VIPower?系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供封装盒功能,如PowerSO-10暴露底部衬垫,输入类型设计用于非反转,以及N通道输出类型,该设备也可用作开/关接口。此外,供应商设备包为10 PowerSO,该设备在1899/12/30 1:01:00比例输入:输出中提供,该设备具有1个输出数量,不需要电压源Vcc Vdd,故障保护为电流限制(固定)、过温、过电压和输出配置为低侧,Rds On Typ为50 mOhm(最大),电压负载为55V(最大),电流输出最大值为14A,开关类型为通用型,Pd功耗为83000 mW,工作电源电压为18 V,输出电流为14 A,导通电阻最大值为50 mOhms。
VNV20N07-E是IC PWR MOSFET M0 70V 20A PWRSO10,包括不需要的电压源Vcc Vdd,它们设计用于55V(最大)电压负载,开关类型如数据表注释所示,用于通用用途,提供供应商设备包功能,如10 PowerSO,系列设计用于OMNIFET?,VIPower?,以及50 mOhm(最大)Rds On Typ,该设备也可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入:输出。此外,Pd功耗为83000 mW,该器件采用管交替封装封装,该器件具有PowerSO-10封装盒暴露底部衬垫,输出类型为N通道,输出电流为14 a,输出配置为低侧,工作电源电压为18 V,导通电阻最大值为50 mOhms,输出数量为1,安装类型为SMD/SMT,接口为开/关,输入类型为非反相,故障保护为限流(固定)、过温、过电压,电流输出最大值为14A。
VNV20N0713TR是MOSFET OMNIFET 70V 20A POWERSO10,包括最大14A电流输出,它们设计用于电流限制(固定)、过温、过电压故障保护,输入类型如数据表注释所示,用于非反相,提供开/关等接口功能,安装样式设计用于SMD/SMT,以及1个输出,该器件也可以用作最大50 mOhms的导通电阻。此外,工作电源电压为18 V,该器件采用低侧输出配置,该器件的输出电流为14 a,输出类型为N通道,封装外壳为PowerSO-10裸露底部衬垫,封装为磁带和卷轴(TR),Pd功耗为83000 mW,和比率输入:输出为1899/12/30 1:01:00,Rds On Typ为50 mOhm(最大值),串联为OMNIFET?,VIPower?,供应商设备包为10 PowerSO,开关类型为通用型,电压负载为55V(最大值),不需要电源Vcc-Vdd。