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VNV35NV04是MOSFET电源40V 30A PWRSO10，包括OMNIFET II？，VIPower？系列，它们设计用于电源开关产品，类型如数据表注释所示，用于低压侧，提供管等封装功能，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerSO-10暴露底部衬垫封装盒，该设备也可以用作非反相输入型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备提供N通道输出类型，该设备具有开/关接口，供应商设备包为10 PowerSO，输入/输出比率为1899/12/30 1:01:00，输出数量为1，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为10 mOhm（最大值），电压负载为36V（最大），电流输出最大值为30A，开关类型为通用型，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，输出电流为30 A，导通电阻最大值为10 mOhms，关断时间最大值为120 us，电流限制为30A，最大接通时间为12us。
VNV35N07TR-E是IC PWR MOSFET M0 70V 35A PWRSO10，包括不需要的电压源Vcc Vdd，它们设计用于55V（最大）电压负载，开关类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供供应商设备包功能，如10 PowerSO，系列设计用于OMNIFET？，VIPower？，除了28mOhm（最大）Rds On Typ，该设备还可以用作1899/12/30 1:01:00比率输入：输出。此外，Pd功耗为125000 mW，该设备采用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有PowerSO-10封装盒的暴露底部衬垫，输出类型为N通道，输出电流为25 a，输出配置为低侧，工作电源电压为18 V，导通电阻最大值为28 mOhms，输出数量为1，安装类型为SMD/SMT，接口为开/关，输入类型为非反相，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，电流输出最大值为25A。
VNV35N07-E是IC PWR MOSFET M0 70V 35A PWRSO10，包括最大25A电流输出，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1个输出，该器件也可用作28 mOhms的最大导通电阻。此外，工作电源电压为18 V，该器件采用低侧输出配置，该器件的输出电流为25 a，输出类型为N通道，封装外壳为PowerSO-10暴露底部衬垫，封装为管交替封装，Pd功耗为125 W，和比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为28 mOhm（最大值），串联为OMNIFET？，VIPower？，供应商设备包为10 PowerSO，开关类型为通用型，电压负载为55V（最大值），不需要电源Vcc-Vdd。
