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R1WV3216RBG-7SR#B0

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (7.5x8.5)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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5+ 491.72048 2458.60240
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 包装/外壳 48-TFBGA
  • 存储容量 32Mb (2M x 16)
  • 单字、单页写入耗时 70ns
  • 访达时期 70 ns
  • 技术 SRAM
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 48-TFBGA (7.5x8.5)

R1WV3216RBG-7SR#B0 产品详情

R1WV3216RBG-7SR#B0所属分类:存储器,R1WV3216RBG-7SR#B0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。R1WV3216RBG-7SR#B0价格参考¥491.720481,你可以下载 R1WV3216RBG-7SR#B0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询R1WV3216RBG-7SR#B0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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