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R1WV6416RBG-7SI#B0

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16, 8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (8.5x11)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3

数量 单价 合计
3+ 801.86145 2405.58437
  • 库存: 232
  • 单价: ¥801.86146
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,405.58
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 包装/外壳 48-TFBGA
  • 单字、单页写入耗时 70ns
  • 访达时期 70 ns
  • 存储容量 64Mb (4M x 16, 8M x 8)
  • 供应商设备包装 48-TFBGA (8.5x11)

R1WV6416RBG-7SI#B0 产品详情

R1WV6416RBG-7SI#B0所属分类:存储器,R1WV6416RBG-7SI#B0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。R1WV6416RBG-7SI#B0价格参考¥801.861459,你可以下载 R1WV6416RBG-7SI#B0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询R1WV6416RBG-7SI#B0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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