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GS816136DGD-333I
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GS816136DGD-333I

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)
  • 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 282.11095 282.11095
10+ 261.62079 2616.20791
36+ 252.27621 9081.94388
72+ 245.99401 17711.56922
108+ 219.67715 23725.13295
  • 库存: 36
  • 单价: ¥282.11096
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥282.11
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 333兆赫
  • 存储容量 18Mb (512K x 36)
  • 包装/外壳 165-LBGA
  • 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 供应商设备包装 165-FPBGA (13x15)
  • 电源电压 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
  • 技术 SRAM-同步,标准

GS816136DGD-333I 产品详情

GS816136DGD-333I所属分类:存储器,GS816136DGD-333I 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GS816136DGD-333I价格参考¥282.110955,你可以下载 GS816136DGD-333I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GS816136DGD-333I规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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