AT45DB021E-SHN-T
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (264 Bytes x 1024 pages) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 70 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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起订量: 2000
数量 | 单价 | 合计 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Non-Volatile
- 安装类别 表面安装
- 储存接口 串行外设接口
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 存储格式 FLASH
- 技术 闪光
- 单字、单页写入耗时 8s, 3ms
- 访达时期 -
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TC)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.209", 5.30毫米 Width)
- 电源电压 1.65伏~3.6伏
- 时钟频率 70 MHz
- 存储容量 2Mb (264 Bytes x 1024 pages)
AT45DB021E-SHN-T 产品详情
The AT45DB021E is a 1.65V minimum, serial-interface sequential access Flash memory ideally suited for a wide variety of digital voice, image, program code, and data storage applications. The device supports the Atmel RapidS™ serial interface for applications requiring very high-speed operations and frequencies up to 70MHz. Its 2-Mbits of main memory are organized as 1024 pages of 256 or 264 bytes each. The flash memory also contains one SRAM buffer of 256 or 264 bytes each that receive data while a page in the main memory is reprogrammed. In addition, the SRAM buffer can be used as additional system scratch memory, and E2PROM emulation can be easily handled with a self-contained three step read-modify-write operation.
AT45DB021E-SHN-T所属分类:存储器,AT45DB021E-SHN-T 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AT45DB021E-SHN-T价格参考¥8.524893,你可以下载 AT45DB021E-SHN-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AT45DB021E-SHN-T规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...